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产品概述

SIRA18DP-T1-GE3

描述:MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

起订量:1

库存:0

Series:TrenchFET®

包装:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel®

产品参数

rohsRoHS
fet typeN-Channel
vgs (max)+20V, -16V
technologyMOSFET (Metal Oxide)
fet feature-
part statusActive
mounting typeSurface Mount
package / casePowerPAK® SO-8
vgs(th) (max) @ id2.4V @ 250µA
operating temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs7.5mOhm @ 10A, 10V
power dissipation (max)3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
supplier device packagePowerPAK® SO-8
gate charge (qg) (max) @ vgs21.5 nC @ 10 V
drain to source voltage (vdss)30 V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1000 pF @ 15 V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
current - continuous drain (id) @ 25°c33A (Tc)

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