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产品概述

SIR808DP-T1-GE3

描述:MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

起订量:1

库存:0

Series:TrenchFET®

包装:Tape & Reel (TR)

产品参数

rohsRoHS
fet typeN-Channel
vgs (max)±20V
technologyMOSFET (Metal Oxide)
fet feature-
part statusObsolete
mounting typeSurface Mount
package / casePowerPAK® SO-8
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 250µA
operating temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs8.9mOhm @ 17A, 10V
power dissipation (max)29.8W (Tc)
supplier device packagePowerPAK® SO-8
gate charge (qg) (max) @ vgs22.8 nC @ 10 V
drain to source voltage (vdss)25 V
input capacitance (ciss) (max) @ vds815 pF @ 12.5 V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
current - continuous drain (id) @ 25°c20A (Tc)

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