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产品概述

SIA456DJ-T3-GE3

描述:MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK

起订量:10000

库存:0

Series:TrenchFET®

包装:Tape & Reel (TR)

产品参数

rohsRoHS
fet typeN-Channel
vgs (max)±16V
technologyMOSFET (Metal Oxide)
fet feature-
part statusActive
mounting typeSurface Mount
package / casePowerPAK® SC-70-6
vgs(th) (max) @ id1.4V @ 250µA
operating temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
power dissipation (max)3.5W (Ta), 19W (Tc)
supplier device packagePowerPAK® SC-70-6
gate charge (qg) (max) @ vgs14.5 nC @ 10 V
drain to source voltage (vdss)200 V
input capacitance (ciss) (max) @ vds350 pF @ 100 V
drive voltage (max rds on, min rds on)1.8V, 4.5V
current - continuous drain (id) @ 25°c1.1A (Ta), 2.6A (Tc)

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